两颗自研芯片加持！小米12S Ultra全身自研技术大揭秘：性能稳了

距离7月4日的小米12S系列发布会，还有三天的时间，小米官方也在不断的揭晓新机各项参数，而今天的预热主力都是新机上配备的各项创新技术，无愧于顶级旗舰定位。

首先就是这次在自研芯片上带来的新朋友——澎湃G1。

官方介绍，这是国内率先量产的自研电池管理芯片，打破了美国Ti的垄断，能够实现电动车级别的BMS（电池管理系统），在电池健康、精准预测、续航提升三大方面带来明显提升。

在放电管理之外，小米12S Ultra这次同样配备了澎湃P1芯片，能在单电芯状态下实现百瓦快充，让手机在实现超快充的同时，兼顾安全性和轻薄机身。

同时，该机该采用了第二代硅氧负极电池，同样是来源于电动汽车上“掺硅补锂”的方式，在电池负极增加了纳米级富锂硅氧材料，含硅量1%，能量密度713，对比友商同功率档位达到了最高的电池密度。

澎湃P1+澎湃G1+硅氧负极电池三大件，组成了这一次小米12S Ultra的“小米澎湃电池管理系统”，不仅快充出色，还一举成为小米有史以来续航最长的数字旗舰手机。

另外，发热控制对于电池健康和充电速度也非常重要，所以这一次小米12S Ultra还首发搭载了叶脉散热冷泵系统。

该技术采用仿生设计，设计原理类似植物叶片，让VC均热板内部的冷却液及时回流，导热性能比VC提升100%，相较普通VC温度降低1.6°C。

而优秀的散热表现，除了能给电池、快充带来保障之外，还能对性能输出带来极大的加成，在游戏等高负载场景下，能持续更长时间满血释放性能。

值得一提的是，这次骁龙8+在更换了台积电4nm工艺，以及针对性优化后，本身在能效提升幅度上就达到了30%，再结合上小米全新的仿生冷泵技术，温控提升进一步加大，性能输出可能会出乎意料，非常值得期待。